Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"A.T. Yuen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1987. Proceedings..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::540a37966535854ab7637fa737b97397
https://doi.org/10.1109/cornel.1987.721225
https://doi.org/10.1109/cornel.1987.721225
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
For short distance multimode data link systems, the large area surface emitting InGaAs QW laser with spectral width of up to 1 nm has been shown to operate in multimode links with RIN less than -120 dB/Hz. SELs have been specifically designed for thi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f0cc5192ef13a6c30c29aecf54e73a18
https://doi.org/10.1109/islc.1994.519322
https://doi.org/10.1109/islc.1994.519322
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 7:145-148
This paper proposes a novel method to increase the noise margins achievable with III-V DCFL digital circuits. The idea is to increase the forward-biased potential obtainable on the gate of the enhancement device before substantial conduction occurs.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1924357f22a9d41b68ed74c125d94744
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26326
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26326
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 24:57-61
A 32 K synchronous RAM using a two-transistor basic cell has been developed for use with a 100 K compact gate array. The basic cell consists of only two transfer gates and a storage capacitor and thus results in a very dense memory array. The RAM ope
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c19480b437e7f1c86e8b5cfd7f785f37
https://doi.org/10.1109/4.16302
https://doi.org/10.1109/4.16302
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 8:272-274
A novel processing scheme has been demonstrated for the fabrication of GaAs/AlGaAs semiconductor-insulator-semiconductor FET's (SISFET's). It was shown that a self-aligned ohmic (SAO) metal deposition could be used, without any additional ion implant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e54efed3f84dcb9c368376bad3a44a9
https://doi.org/10.1109/edl.1987.26627
https://doi.org/10.1109/edl.1987.26627
Publikováno v:
MRS Proceedings. 45
A comparison has been made between rapid thermal annealing (RTA) and furnace annealing (FA) of implanted GaAs. Hall measurements showed consistently higher electrical activation of n-type (Si-5E12 cm −2) implants with FA and higher electrical activ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cfe7cf4f16992f8b2dfab1c6c6e8d39
https://doi.org/10.1557/proc-45-285
https://doi.org/10.1557/proc-45-285
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 7:556-557
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a7fdb27af682f93a05157de98777589
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26471
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26471