Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"A.T. Tham"'
Autor:
B. Rau, K. Petter, Klaus Lips, Stefan Gall, P. Schubert-Bischoff, Walther Fuhs, I. Sieber, Peter Schattschneider, D. Eyidi, A.T. Tham, Michael Stöger-Pollach
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :117-121
We present an investigation of line defects in epitaxially grown silicon layers using Secco defect etching and transmission electron microscopy (TEM). 1 μ m thick layers were deposited onto Si (1 0 0) wafers at a substrate temperature of 560 ∘ C u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1469d8941874629f632fa6d0ad9ce029
https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.032
https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.032
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.