Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"A.S.M. Shamsur Rouf"'
Publikováno v:
Noise in Nanoscale Semiconductor Devices ISBN: 9783030374990
Random telegraph signals (RTS) have been used as a technique for gate oxide defect analyses for the last few decades. The time required by a gate oxide defect to capture and emit an inversion layer carrier can be used to extract the defect energy par
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa1e682d876e52de04e0cea3772fc4c7
https://doi.org/10.1007/978-3-030-37500-3_17
https://doi.org/10.1007/978-3-030-37500-3_17
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 65:4527-4534
We report on the investigation of random telegraph signals (RTSs) in pMOSFETs at variable temperatures to identify and characterize the hole traps residing at the oxide–semiconductor interface. Attractive center defects as well as a repulsive cente
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dc4061da7a28f441b9276d501998aef
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2866229
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2866229
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 164:107745
The effect of channel hot carrier stress has been investigated in pMOSFETs with respect to channel hole trapping by the gate oxide traps and the resultant Random Telegraph Signals (RTS) observed at the output. Process- and stress- induced oxide traps
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd74a8e760ca2e980e891927c4d4df77
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107745
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107745
Publikováno v:
2012 Photonics Global Conference (PGC).
In recent times, the Type-II InAs/GaSb Superlatttice has been opted as a viable replacement for HgCdTe based photodetectors as the band structure of these devices can be tailored. Significant progress has been made and ongoing research is being condu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11e298eee0d77393b0e9aeebd6960ba0
https://doi.org/10.1109/pgc.2012.6458066
https://doi.org/10.1109/pgc.2012.6458066
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.