Zobrazeno 1 - 10
of 148
pro vyhledávání: '"A.R. Powell"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 222:141-144
We have studied the oxidation behaviour of 350 nm thick films of Si 0.5 Ge 0.5 alloy grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy. The oxidation was performed at 1000 °C in both dry and wet oxygen environments. As a reference, bulk silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::690f7510aad6960fc1ada2acc8d356f8
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90055-g
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90055-g
Autor:
David Bowen, Evan H. C. Parker, A.R. Powell, J Hudson, M Wormington, R. A. Kubiak, P. D. Augustus
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 7:627-631
The authors demonstrate the effectiveness of both X-ray diffraction and X-ray reflectivity in the structural characterization of semiconductor structures. By combining information from both techniques the abruptness of the interfaces for Si1-xGex str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::983b26a5725be874deaced2387e838e6
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/5/001
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/5/001
Autor:
Jing Zhang, Terry E. Whall, P.L.F. Hemment, A.R. Powell, Evan H. C. Parker, N. Hatzopoulos, S.M. Newstead
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 12:21-26
Si 0.57 Ge 0.43 alloy layers implanted with O + ions have been investigated by Rutherford backscattering spectrometry. The layers of 550 nm thickness were grown by molecular beam epitaxy on a n-type (100) Si substrate (ϱ = 5–20 Ω cm) . The sample
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cee23bfffe562d53498fe34056a29ea0
https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90253-6
https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90253-6
Autor:
H.D. Liu, J.P. Zhang, P.L.F. Hemment, S.M. Newstead, A.R. Powell, Evan H. C. Parker, J.E. Castle, Terry E. Whall, John F. Watts
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 12:199-203
A Si0.5Ge0.5 alloy layer was implanted at a temperature of about 500 °C with doses of 0.6 × 1018, 1.2 × 1018 and 1.8 × 1018 O+ cm−2 at an energy of 200 keV. The alloy layer was prepared by molecular beam expitaxy (MBE), with an 800 nm thick fil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44572f8e306ae328e70ec1dc5f9f2c9e
https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90286-i
https://doi.org/10.1016/0921-5107(92)90286-i
Autor:
A.R. Powell, Evan H. C. Parker, L. M. Brown, William T. Pike, S.M. Newstead, R. A. Kubiak, Terry E. Whall
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 111:925-930
The nanometre scale of the novel strained layer electronic devices now being grown requires characterisation techniques of a corresponding resolution. This work employs the subnanometre probe of a dedicated scanning transmission electron microscope t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34d63d17e79c6a432c10875dc8e45887
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91109-n
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91109-n
Autor:
David Bowen, Evan H. C. Parker, E. Başaran, A.R. Powell, T. Naylor, J. C. Brighten, N. L. Mattey, D. W. Smith, Terry E. Whall, R. D. Barlow, S.M. Newstead, M.G. Dowsett, C. J. Emeleus, C. P. Parry, R. A. Kubiak
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 111:907-911
This paper considers the low temperature doping of (100) Si and SiGe structures with elemental B and Sb sources particularly with regard to obtaining very narrow delta doping spikes. B is found to be an excellent dopant at SiGe growth temperatures in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::172ff25ce43f221caec12e9c3917a655
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91105-j
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91105-j