Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"A.R. Ahmad Ismat"'
Autor:
M. Norman Fadhil Idham, A.M. Abdul Fatah, Hariyadi Soetedjo, Idris Sabtu, A.R. Ahmad Ismat, Y. Mohamed Razman, O. Nurul Afzan
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
This paper presents a novel technique to obtain device characteristics of high electron mobility transistors (HEMT) structures based on the backgate contact method, thus avoiding the need for complete gate formation. The gate contact was prepared on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83b51562132679f959d6c6a9b8fef8cd
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380733
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380733
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.