Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"A.P.G. Prakash"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.P.G. Prakash, Daniel M. Fleetwood, A. Phan, Jonathan A. Pellish, Robert A. Reed, Marco Bellini, Akil K. Sutton, Cheryl J. Marshall, Ronald D. Schrimpf, Bongim Jun, John D. Cressler, Paul W. Marshall, M.A. Carts, Raymond L. Ladbury, Enhai Zhao, R.M. Diestelhorst
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 53:3166-3174
We present an investigation of the observed variations in the total dose tolerance of the emitter-base spacer and shallow trench isolation oxides in a commercial 200 GHz SiGe HBT technology. Proton, gamma, and X-ray irradiations at varying dose rates
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7cebffe3b444341d96afd180ca83a90
https://doi.org/10.1109/tns.2006.885382
https://doi.org/10.1109/tns.2006.885382
Autor:
G. Espinel, A.P.G. Prakash, Marco Bellini, John D. Cressler, Ronald D. Schrimpf, Bongim Jun, Dakai Chen, Marek Turowski, A. Appaswamy, Ashok Raman, Daniel M. Fleetwood, R.M. Diestelhorst
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 53:3203-3209
The off-state drain current leakage characteristics of 130 nm CMOS technology are investigated using x-ray irradiation and operating temperature as variables. Radiation-induced interface traps in the gate oxide to gate-drain overlap region strongly e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5012c706b316af0f135990db52a33c31
https://doi.org/10.1109/tns.2006.886230
https://doi.org/10.1109/tns.2006.886230
Autor:
Akil K. Sutton, R.M. Diestelhorst, J.M. Andrews, Cheryl J. Marshall, John D. Cressler, G. Espinel, Bongim Jun, A.P.G. Prakash, Paul W. Marshall
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 53:3175-3181
We compare, for the first time, the effects of 63 MeV protons on 1st generation and 3rd generation SiGe HBTs irradiated at both liquid nitrogen temperature (77 K) and at room temperature (300 K). The 1st generation SiGe HBTs irradiated at 77 K show l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5d3fa3dfc88188deae59a2587a5483e
https://doi.org/10.1109/tns.2006.886229
https://doi.org/10.1109/tns.2006.886229
Autor:
Paul W. Marshall, Marco Bellini, A.P.G. Prakash, Laleh Najafizadeh, John D. Cressler, Cheryl J. Marshall, G. Espinel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 53:3210-3216
A comprehensive investigation of the effects of proton irradiation on the performance of SiGe BiCMOS precision voltage references intended for extreme environment operational conditions is presented. The voltage reference circuits were designed in tw
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ac76e96223739683abc84bc0a48ba2f
https://doi.org/10.1109/tns.2006.885381
https://doi.org/10.1109/tns.2006.885381