Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"A.P. Vasilenko"'
Autor:
A.P. Vasilenko, A.A. Darikov
Publikováno v:
Bulletin of Chelyabinsk State University. :39-46
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::839ef2bc514e594373911b6686fe5952
https://doi.org/10.47475/1994-2796-2021-10105
https://doi.org/10.47475/1994-2796-2021-10105
Publikováno v:
Nanotechnology : the development , application - XXI Century.
The relevance of information and the speed of its processing are of significant importance for high-tech industrial enterprises. To solve this problem, R&D departments are created within enterprises, but often all efforts are broken down by inefficie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dec3f9e8799776ff7840c454b40c9dc
https://doi.org/10.18127/j22250980-202101-03
https://doi.org/10.18127/j22250980-202101-03
Autor:
A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, Z.T. Lei, C.Q. Zhu, C.H. Yang, G.A. Verozubova
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 580:126479
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::781b9e0c7b8fa955d33c59de919a59f6
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126479
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126479
Autor:
P.V. Kasimkin, K.B. Fritzler, V.A. Moskovskih, A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 468:457-461
Dislocation structure of the Ge single crystals grown by Czochralski method with low thermal gradient has been studied. The selective etching technique and the X-Ray transmission and reflection topography were used. Clearly defined non-uniform disloc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59dac35053298e3b9f8407cc009e4108
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.051
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.051
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 15:6801-6808
The real defect structure of LiB3O5 crystal grown by a top seeded solution growth method has been observed using x-ray projection and reflective topography. Space mapping of such defects as growth sector boundaries, striation and dislocations have be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13d67a69c532981478db8baf2265e401
https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/40/016
https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/40/016
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 36:A44-A48
In x-ray topographs of Si/GexSi1−x/Si(001) heterosystems, the intensity variations, which are associated with inhomogeneous GeSi thickness, are observed. The layers of GeSi and Si were grown by molecular beam epitaxy. The growth conditions preservi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c248938673d3e82ab2b91d952c7ee1b
https://doi.org/10.1088/0022-3727/36/10a/309
https://doi.org/10.1088/0022-3727/36/10a/309
Publikováno v:
International Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials.
It has been theoretically predicted for the quasi-equilibrium conditions that at the first relaxation stage two dislocation arrays are formed in the vicinal (1 1 15) interface. The slip plane of these arrays is the same - (1 1 1) and Burgers vector d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aab546ad4fc7867112b85adedbd25a6b
https://doi.org/10.1109/sibedm.2006.230309
https://doi.org/10.1109/sibedm.2006.230309
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.