Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"A.O. Brown"'
Autor:
A.O. Brown, R.J. Goldston
Publikováno v:
Nuclear Materials and Energy, Vol 27, Iss , Pp 101002- (2021)
We generalize the low-gas-puff Heuristic Drift (HD) model of the power scrape-off layer width to take into account both the enhanced parallel confinement time in the SOL at high collisionality, due to enhanced thermal resistivity, and the increase of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/53f7b6ae070d4436a73d1379d1923195
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 40:1918-1925
Presents the algorithms and results of a computer program used to determine the charge collected on silicon semiconductor transistors due to the ion shunt effect. The authors present results for a typical silicon CMOS structure and discuss the effect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::044f326339c4b4b14370909e01452962
https://doi.org/10.1109/23.273463
https://doi.org/10.1109/23.273463