Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"A.N. Saxena"'
Autor:
N.J. Haley, K. Ramkumar, A. Bhalla, David T. Price, Ronald J. Gutmann, S.P. Muraka, A.N. Saxena, T.P. Chow, S. Lakshminarayanan
Publikováno v:
[1993] Proceedings of the Tenth Biennial University/Government/Industry Microelectronics Symposium.
The Center for Integrated Electronics (CIE) at Rensselaer Polytechnic Institute is utilizing front-end processing, developed for, and performed in, a CMOS fabrication laboratory course as a foundry service for back-end of the line search. The goal of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08161b8bb0820187dee5577ee3fdf9b0
https://doi.org/10.1109/ugim.1993.297010
https://doi.org/10.1109/ugim.1993.297010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Pramanik, A.N. Saxena
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 21:618-621
The sheet resistance of WSix film deposited on Si wafer decreases monotonically with temperature for a fixed time of anneal. This fact has been utilized to characterize the temperature uniformity across a single wafer, heated in a rapid thermal annea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b1f400ee274b240879adfc584ee06bf
https://doi.org/10.1016/0168-583x(87)90922-0
https://doi.org/10.1016/0168-583x(87)90922-0
Autor:
A.N. Saxena
Publikováno v:
Indian Journal of Public Administration. 31:902-909
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6d086254ee602d20b24cbaf2b4ccf877
https://doi.org/10.1177/0019556119850334
https://doi.org/10.1177/0019556119850334
Autor:
D. Pramanik, A.N. Saxena
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 2:1-13
The use of megaelectronvolt implantations in silicon very-large-scale integration is increasing as the device dimensions are decreasing rapidly toward submicrometer geometries, and the number of components per chip are exceeding 106. Several unique a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f8a0f24cd6bc51df1e3981a4bd1074f
https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90069-x
https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90069-x
Autor:
A.N. Saxena, D. Pramanik
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 21:116-119
MOS read only memories (ROMs) were programmed after metal definition by using an MeV ion implanter. The energy and dose of the implant had to be adjusted so as to raise the threshold voltage of the transistors, VTP, to be 5 V. The variation of VTP wi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bc75f7b2af87e9f69fe1b6dc0ad10a76
https://doi.org/10.1016/0168-583x(87)90808-1
https://doi.org/10.1016/0168-583x(87)90808-1
Autor:
A.N. Saxena, D. Pramanik
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :493-497
The shrinkage of vertical feature sizes in VLSI allows the shrinkage of deep junctions like CMOS wells and buried subsurface layers. This has resulted in several attractive opportunities for the use of MeV implantation in VLSI and wafer scale integra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd7717a41cdbcf4ae6e4364d83e9d659
https://doi.org/10.1016/0168-583x(85)90294-0
https://doi.org/10.1016/0168-583x(85)90294-0