Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"A.N. Akimov"'
Publikováno v:
Vacuum. 78:119-122
Implantation of N ions with doses of 3 × 1 0 16 and 3 × 1 0 17 cm - 2 and energies of 100 keV into semiinsulating (1 0 0) GaAs substrates has been performed in order to synthesize the GaN compound. The samples have been annealed in a furnace at 750
Publikováno v:
Vacuum. 63:491-494
The electrical and structural properties of Si-implanted GaAs (with the ion energy of 100 keV and the dose of 2×1013 cm−2) after high intensity co-implantation of As ions (with the energy of 150 keV, current density of 80 μA/cm2 and implantation
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.