Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"A.M. Yong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 44:420-424
We have examined the upper limit of the InAs/GaAs quantum dots (QDs) density by increasing the InAs deposition rate while keeping other growth conditions constant. By changing the InAs deposition rate from 0.1 to 3.6 monolayer/s (ML/s), the relations
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87d5effbfaffa56459c588174cd83d91
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.007
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.007
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:4496-4500
In the growth of InGaN multiple quantum well structure, V-pits has been observed to be initiated at the threading dislocations which propagate to the quantum well layers with high indium composition and substantially thick InGaN well. A set of sample
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8856186a3bdfab6417d6e3a7791d1dfd
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.181
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.181
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:3927-3931
Two types of InAs quantum dot (QD) structure, grown by molecular-beam epitaxy on GaAs (100) substrates, one with dot-in-a-In 0.12 Ga 0.88 As quantum well (QW) and another one with dots embedded in a GaAs matrix, were intermixed by impurity free vacan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0129200d03c8d64238e8e9520325a09
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.11.011
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.11.011
Autor:
Hui Ying Yang, Shu Ping Lau, S. Y. Chow, A.M. Yong, Xinhai Zhang, Siu Fung Yu, Soo Jin Chua, Xiao Wei Sun
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 31:71-73
Using a simple process of the deposition of ZnO thin films on SiOx/Si substrates and subsequent thermal annealing, we fabricated ZnO quantum dots embedded in silicon oxide matrix. The ZnO quantum dots were characterized using transmission electron mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d868576df23e01f0d6dd1ae2de79180b
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71
Autor:
A.E-J. Lim, Chow Shue-Yin, A.M. Yong, Dongzhi Chi, Tsung-Yang Liow, Wei-Wei Fang, R.T-P. Lee, Ganesh S. Samudra, Kian-Ming Tan, A.T-Y. Koh, Guo-Qiang Lo, Yee-Chia Yeo, Hoong Shing Wong
Publikováno v:
2008 Symposium on VLSI Technology.
We have developed a novel and cost-efficient silicide integration solution to achieve a hole barrier height of 215 meV and electron barrier height of 665 meV simultaneously with a single metallic silicide based on aluminum inter-diffusion. It is prop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5e622a99c5b899e03b1753fea9e41b6
https://doi.org/10.1109/vlsit.2008.4588551
https://doi.org/10.1109/vlsit.2008.4588551
Autor:
A.M. Yong, Shu Ping Lau, Xinhai Zhang, Hui Ying Yang, Soo Jin Chua, Siu Fung Yu, Xiao Wei Sun
Publikováno v:
International Journal of Nanotechnology. 4:404
In this paper, we report the fabrication of ZnO nanorods using vapour phase transportation. The morphology of ZnO nanorods is characterised using scanning electron microscope. The optical properties of the nanorods are studied using time-integrated p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81eb9622ed1ab20d29c7cd5f2175de5d
https://doi.org/10.1504/ijnt.2007.013974
https://doi.org/10.1504/ijnt.2007.013974