Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"A.M. Yong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salem, Peter P.1 (AUTHOR) pps05@mail.aub.edu, Chami, Perla1 (AUTHOR) pnc00@mail.aub.edu, Daou, Remy2 (AUTHOR) remy.daou@dbayehmedical.com, Hajj, Joseph3 (AUTHOR) joseph.hajj@std.balamand.edu.lb, Lin, Haibo4 (AUTHOR) hlin@nyproton.com, Chhabra, Arpit M.4 (AUTHOR) achhabra@nyproton.com, Simone II, Charles B.4,5 (AUTHOR) simonec1@mskcc.org, Lee, Nancy Y.4,5 (AUTHOR) leen2@mskcc.org, Hajj, Carla4,5 (AUTHOR) hajjc@mskcc.org
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences. Oct2024, Vol. 25 Issue 20, p10969. 43p.
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 44:420-424
We have examined the upper limit of the InAs/GaAs quantum dots (QDs) density by increasing the InAs deposition rate while keeping other growth conditions constant. By changing the InAs deposition rate from 0.1 to 3.6 monolayer/s (ML/s), the relations
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87d5effbfaffa56459c588174cd83d91
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.007
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.007
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:4496-4500
In the growth of InGaN multiple quantum well structure, V-pits has been observed to be initiated at the threading dislocations which propagate to the quantum well layers with high indium composition and substantially thick InGaN well. A set of sample
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8856186a3bdfab6417d6e3a7791d1dfd
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.181
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.181
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:3927-3931
Two types of InAs quantum dot (QD) structure, grown by molecular-beam epitaxy on GaAs (100) substrates, one with dot-in-a-In 0.12 Ga 0.88 As quantum well (QW) and another one with dots embedded in a GaAs matrix, were intermixed by impurity free vacan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0129200d03c8d64238e8e9520325a09
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.11.011
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.11.011
Autor:
Hui Ying Yang, Shu Ping Lau, S. Y. Chow, A.M. Yong, Xinhai Zhang, Siu Fung Yu, Soo Jin Chua, Xiao Wei Sun
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 31:71-73
Using a simple process of the deposition of ZnO thin films on SiOx/Si substrates and subsequent thermal annealing, we fabricated ZnO quantum dots embedded in silicon oxide matrix. The ZnO quantum dots were characterized using transmission electron mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d868576df23e01f0d6dd1ae2de79180b
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.71
Autor:
Seung, Soo-Jin1 (AUTHOR) e25richa@uwaterloo.ca, Mittmann, Nicole2,3 (AUTHOR) nicole.mittmann@cda-amc.ca, Ante, Zharmaine4 (AUTHOR) zharmaine.ante@ices.on.ca, Liu, Ning4 (AUTHOR) ning.liu@ices.on.ca, Blackmore, Kristina M.5 (AUTHOR) kristina.blackmore@ontariohealth.ca, Richard, Emilie S.1 (AUTHOR) anisia.wong@sri.utoronto.ca, Wong, Anisia1 (AUTHOR), Walker, Meghan J.5,6 (AUTHOR) meghan.walker@ontariohealth.ca, Earle, Craig C.4 (AUTHOR) craig.earle@ices.on.ca, Simard, Jacques7,8 (AUTHOR) jacques.simard@crchudequebec.ulaval.ca, Chiarelli, Anna M.5,6 (AUTHOR) anna.chiarelli@ontariohealth.ca
Publikováno v:
Cancers. Sep2024, Vol. 16 Issue 18, p3189. 18p.
Autor:
Madiyar, Foram1 (AUTHOR) madiyarf@erau.edu, Suskavcevic, Liam2 (AUTHOR) madiyarf@erau.edu, Daugherty, Kaitlyn2 (AUTHOR), Weldon, Alexis2 (AUTHOR), Ghate, Sahil3 (AUTHOR), O'Brien, Takara2 (AUTHOR), Melendez, Isabel4 (AUTHOR), Morgan, Karl4 (AUTHOR), Boetcher, Sandra4 (AUTHOR), Namilae, Lasya5 (AUTHOR)
Publikováno v:
Bioengineering (Basel). Sep2024, Vol. 11 Issue 9, p864. 17p.