Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"A.M. Mahajan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.M. Mahajan, A.G. Khairnar
Publikováno v:
Solid State Sciences. 15:24-28
Structural and electrical properties of HfO 2 gate-dielectric metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors deposited by sputtering are investigated. The HfO 2 high-k thin films have been deposited on p-type silicon wafer using RF-Magnetron sputtering t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3f124cfa2a6d5d0bc94644768e531fa
https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2012.09.010
https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2012.09.010
Autor:
A.M. Mahajan, Rahul S. Salunke, Prerna A. Pandit, K.S. Agrawal, Vilas S. Patil, Anil G. Khairnar
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 51:133
The study of ZrO2 thin films on SiC group IV compound semiconductor has been studied as a high mobility substrates. The ZrO2 thin films were deposited using the Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System. The thickness of the thin films were meas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50c533ad1be7b6e552a3fef015dfa32c
https://doi.org/10.21883/ftp.2017.01.44008.8125
https://doi.org/10.21883/ftp.2017.01.44008.8125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.