Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"A.M. Hanafiah"'
Autor:
Zainuriah Hassan, M.A.A.Z. Md Sahar, M.A. Ahmad, M. E. A. Samsudin, Yusnizam Yusuf, N.A. Hamzah, Rahil Izzati Mohd Asri, A.M. Hanafiah, Way Foong Lim
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1535:012042
In this work, aluminium nitride (AlN) single layer has been successfully grown on c-plane sapphire using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at low reactor pressure. The effects of growth temperature, ammonia (NH3) flux and trimethylalumin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ed3092692f4a405670baa94e2a572db
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012042
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1535/1/012042
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.