Zobrazeno 1 - 10
of 261
pro vyhledávání: '"A.L. Lentine"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. Y. Jan, D.B. Buchholz, William E. Mayo, L.M.F. Chirovsky, B.T. Tseng, S.P. Hui, R.A. Novotny, R.L. Morrison, Keith W. Goossen, R.E. Leibenguth, A.L. Lentine, D. Dahringer, Y. C. Wang, D.D. Bacon, John Edward Cunningham, James A. Walker, L.A. D'Asaro, D. Kossives, J.M. Kuo, A. Ron, G. Livescu
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :971-976
We demonstrate the integration of a large (64 x 68)p-i(MQW)-n GaAs diode array to a silicon CMOS chip, using flip-chip solder bump bonding techniques together with concomitant GaAs substrate removal. The capability of removing a relatively large area
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb93782981ff5047153228efa6b173a6
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)01206-7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)01206-7
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology. 12:2122-2130
S-SEED switching operation is studied, and an analysis technique introduced that produces a closed form expression relating the switching voltage to the input power contrast ratio and the responsivity characteristics of the device. A closed form equa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e197fdbedd01def0fb452dc6aedf6636
https://doi.org/10.1109/50.350618
https://doi.org/10.1109/50.350618
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 12:1100-1102
The first system to transport native Ethernet data at a serial rate of 10 Gb/s is reported. Up to 8 asynchronous gigabit Ethernet signals are multiplexed to 10 Gb/s and directly modulate a Fabry-Perot laser at 1310 nm for 2-8 km transport over standa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36be1ff162dfbf55f1bd302869661050
https://doi.org/10.1109/68.868021
https://doi.org/10.1109/68.868021