Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"A.K. Uteniyazov"'
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 23, Iss 3, Pp 290-293 (2020)
The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1981bb75992440758b11cc009cb927f7
Autor:
A.K. Uteniyazov
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 2, Pp 165-170 (2019)
It has been shown that the density of surface states at the interface of the Al–Al2O3–p-CdTe–Mo structure is sufficiently low. It was found that at the interface being in the thermodynamically equilibrium state, there is a bend of the edge of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe5c89c4185b490598d83442193d1a7b
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 24:248-254
A new type of injection regime is considered – non-recombination one, which can be realized in the forward direction of the current in structures of the p-n-n+ type under conditions of opposite directions of ambipolar diffusion and drift of non-equ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7045bb150fa369b79fc613e020afb2d3
https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.248
https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.248
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 23:339-345
The results of studies of the current-voltage characteristics of the Al–Al2O3–p-CdTe–Mo structure in the forward direction of the current in the dark and under light illumination have been presented. These characteristics have four sections of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b15b6ac43e29b703f1ec67b1c7b40b7
https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.339
https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.339
Publikováno v:
Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5907721359e7070db379fcd4accf611a
https://doi.org/10.47100/conference_physics/s2_7
https://doi.org/10.47100/conference_physics/s2_7
Publikováno v:
Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a19b441dba0784c5ac87949d4c6bc6c7
https://doi.org/10.47100/conference_physics/s3_10
https://doi.org/10.47100/conference_physics/s3_10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.