Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"A.I.A. Rahim"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 48:2506-2513
This paper investigates the effects of an in-situ hydrogen bake and an ex-situ hydrofluoric acid (HF) etch prior to polysilicon deposition on the electrical characteristics of bipolar transistors fabricated with low thermal budget in-situ phosphorus-
Publikováno v:
RSM 2013 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics.
The design and performances of two-stage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) medium power amplifier (MPA) for 5.8 GHz applications are presented using a 0.5um commercial GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) technolo
Publikováno v:
2009 IEEE 9th Malaysia International Conference on Communications (MICC).
This paper demonstrates the process of characterizing on-wafer RF components for RFIC devices by using a three-steps de-embedding method. Three RF passive components are used for this purpose: spiral inductor, metal-finger capacitor and silicide-bloc
Autor:
Mohamad Ridzuan Yahya, A.I.A. Rahim, Rasidah Sanusi, S. A. Enche Ab Rahim, K. Norhapizin, Arjuna Marzuki
Publikováno v:
2009 Asia Pacific Microwave Conference.
This paper presents the performance of scalable polynomial equation for very wide range of metal-insulator-metal (MIM) capacitor value which is obtained through curve fitting or optimization technique. It is used to describe the behavior of lumped el
Autor:
K. Norhapizin, Mohamad Ridzuan Yahya, Mohd Azmi Ismail, A.I.A. Rahim, Arjuna Marzuki, R. Sanusi
Publikováno v:
2008 International Conference on Electronic Design.
In this paper, very low loss and high isolation single pole double throw (SPDT) switch design for microwave applications using pseudomorphic high-electron mobility transistor (pHEMT) is presented. The MMIC switch design is developed using a commercia