Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"A.I. Saprikin"'
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 21:77-84
Defects appearing in GaAs crystals and layers (LPE), which were doped with oxygen or silicon and oxygen, were studied by the photo- and electroabsorption method. The concentration dependence of the defects was studied and it was shown that the deep l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27e864ef663ead5888e2910880588c43
https://doi.org/10.1016/0025-5408(86)90032-2
https://doi.org/10.1016/0025-5408(86)90032-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.