Zobrazeno 1 - 10
of 372
pro vyhledávání: '"A.I. Nikiforov"'
Publikováno v:
Acta Ichthyologica et Piscatoria, Vol 49, Iss 4, Pp 381-388 (2019)
Background. This study was initiated for the morphological comparison of two species of recently described Amur graylings collected in the unique zone of their sympatry. This provided an infrequent opportunity for the estimation of the species-specif
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0ba85c6d732c43359eed3db4ee59fad9
Publikováno v:
Georesursy, Vol 20, Iss 2, Pp 102-107 (2018)
The problem of reservoir permeability identification based on known well pressures under conditions of single-phase fluid filtration is considered in the article. The permeability field is identified in the spline function class from the solution of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/559c9a05fef64d3ead07eb2a2300c29c
Publikováno v:
Аграрное и земельное право. :219-223
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, V.I. Mashanov, I.D. Loshkarev, I.V. Skvortsov, D.V. Gulyaev, D.D. Firsov, O.S. Komkov
Publikováno v:
«Узбекский физический журнал». 23:1-6
The growth of multilayer structures with Ge0.3Si0.7-yGey/Si heterojunction at tin content from 0 to 18% was studied. The X-ray diffractometry method shows the presence of strict periodicity of layers and a high level of tin content. It has been estab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Geology, Geophysics and Development of Oil and Gas Fields. :14-18
Autor:
V. I. Mashanov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, I. D. Loshkarev, Kh.B. Ashurov, V. A. Timofeev, A.K. Gutakovskii
Publikováno v:
«Узбекский физический журнал». 20:218-223
The formation of pseudomorphous GeSiSn layers directly on Si have been investigated. The transition from two-dimensional growth regime to three-dimensional of the GeSiSn film on Si(100) was studied for different mismatch with silicon and growth tempe