Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"A.I. Kholopkin"'
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 55:386-392
A retrospective review of the development of ion implantation equipment in the USSR is presented and modern design philosophies are highlighted. The main developments made by Soviet scientists in the field of ion implantation over the past 30 years a
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 55:902-904
The ion projection lithography processes have been studied on octasilsesquioxanes-based dry resists. The investigations were carried out on an experimental ion projection lithography system in the gallium ion dose range of 10 12 -10 14 ions/cm 2 . Re
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.