Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"A.I Klimovskaya"'
Autor:
A.I. Klimovskaya
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 3, Pp 293-298 (2019)
We present experimental research on mechanical strains in the structure consisting of an array of silicon nanowires grown using the metal-enhanced CVD technique on boron-doped Si(111) and Si(100) substrates. Using the electron beam induced current on
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/733bd02e4f4a4045bf02eb50a453c4a2
Autor:
A.I. Klimovskaya, Yu.Yu. Kalashnyk, A.T. Voroshchenko, O.S. Oberemok, Yu.M. Pedchenko, P.M. Lytvyn
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 21, Iss 3, Pp 282-287 (2018)
In spite of the fact that, a great deal of experimental research has been published, there is a lack of good understanding of silicon nanowires growth to exert control over important properties of the system, though it presents the simplest system li
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3165fbe281ad486e92e10ed8f638189e
Autor:
A.I. Klimovskaya, G.Y. Rudko
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 222:189-192
The comparative study of indirect and direct gap (Si and ZnO, respectively) semiconductor nanowires (NWs) is reported. The NWs were grown on silicon substrates by gold-assisted self-assembly technique. SEM study demonstrated high-density of nanowires
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8113abcb5e012deddec7aa1d2b2ac869
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.222.189
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.222.189
Autor:
A.I. Klimovskaya
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 28:13-22
In this paper our results of free-standing filament crystals study are discussed, and the physical model of the crystal is proposed. The role of surface reconstruction in the crystalline structure formation and all the properties of these crystals ar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cc9f533969cfa3af77a79097c790983c
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(96)00008-0
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(96)00008-0
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this paper, the results of structural investigations of grown-on-substrate and free-standing filament-like silicon crystals are presented. The lattice parameter of free-standing crystals decreases with a decrease of their diameter, while the dilat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f45a81f7fc2e92396804b1f5acd1ee83
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)01091-2
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)01091-2
Publikováno v:
ASDAM 2000. Conference Proceedings. Third International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (Cat. No.00EX386).
In/sub x/Ga/sub 1-x/As QW-layers embedded in GaAs matrix have been characterized by photoluminescence (PL) study. We have established the relation between the PL parameters and mismatch of the lattice parameters of the layer and matrix. In highly str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18304bb300d945cd11c7b3d925d4e08f
https://doi.org/10.1109/asdam.2000.889538
https://doi.org/10.1109/asdam.2000.889538
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.