Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"A.G. van der Sijde"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:1449-1460
A Frame-Transfer CCD imager for consumer applications has been developed with low dark current by using hole accumulation at the entire Si-SiO/sub 2/ interface of the image pixel during integration, called "All-Gates Pinning", or AGP. All sensor feat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16d5eaabbca72a67f4d8d9cfbcb99aac
https://doi.org/10.1109/16.398659
https://doi.org/10.1109/16.398659
Autor:
Noortje J. Daemen, A.L. Kokshoorn, Jan T. Bosiers, Hermanus Leonardus Peek, Bartholomeus Goverdina Maria Henricus Dillen, L.T. van Gaal, A.C. Kleimann, A.G. van der Sijde
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:1059-1068
The authors present a high-resolution frame-transfer charge-coupled-device (CCD) suitable for S-VHS camcorders with an additional full-resolution true electronic still picture (ESP) mode of operation. The CCD sensor is composed of an image section, a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32edfcacbb136b4ac60a97bbbc3aa27e
https://doi.org/10.1109/16.78380
https://doi.org/10.1109/16.78380
Autor:
Hermanus Leonardus Peek, Y.A. Beorsma, D.W. Verbugt, J.T. Bosiers, A.C. Kleimann, A.G. van der Sijde
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
A 1/3” progressive scan QGA-format 1280(H) x 960(V) FT-CCD imager with 3.7x3.7 pm2 pixels designed for digital still camera applications is presented. A reduced storage section in combination with subsampling allows the generation of a color NTSC c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a131f8d90b214b433bb891ce3ee52fb8
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650306
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650306
Autor:
Geert J. T. Davids, Jan W. Slotboom, A.G. van der Sijde, G. Streutker, W. Wiertsema, P.B. Hartog
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 49:C4-41
A new double polysilicon gate technology for an 835 Kbit CCD video memory with a cell of 4×4 ?m2 [1] is presented. The spacer technology for the LDD MOSFET's is integrated in the isolation of the double poly CCD structure. This makes the CCD fully c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc4858f3fdcfb3669caecf3ed118917f
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988407
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988407
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.