Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"A.F.J. Murray"'
Autor:
A.F.J. Murray, William Allan Lane
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:185-189
The detrimental effect of high-voltage interconnection on the blocking capability of a junction isolated (JI) structure in a typical high-voltage integrated circuit (HVIC) process is investigated. A significant increase in breakdown voltage is realiz
Autor:
William Allan Lane, A.F.J. Murray
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 27:209-215
This paper describes a technique for 800V wiring in a typical high voltage integrated circuit. Polysilicon field plates are biased using undoped poly resistors, connected in a voltage division scheme between the high voltage source and ground (A.F.J.
Publikováno v:
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212).
A novel breakover diode (BOD) structure for overvoltage protection applications is proposed. The structure incorporates a surface breakdown trigger mechanism (SBTM), which facilitates the generation of a range of triggering voltages, independent of t
Publikováno v:
IEE Colloquium Recent Advances in Power Devices.
In this work, a novel breakover diode (BOD) design has been proposed and developed allowing the generation of a range of triggering voltages (20-300 V) independent of the starting material's resistivity, through modification of a single process step.
Publikováno v:
Seventh International Conference on Power Electronics and Variable Speed Drives.
This paper demonstrates, for the first time, the ability to fabricate low-loss high-speed MPS power rectifiers that can block reverse voltages in excess of 1000 V. Controlling the characteristics of the 1000 V MPS by varying the relative device activ
Publikováno v:
6th International Conference on Power Electronics and Variable Speed Drives.
This paper investigates the possibility of using a P+N+ mosaic (ohmic) contact to improve the switching characteristics of a P+N-N+ diode. The mosaic should aid the removal of minority holes from the N-base region. This is the first time such a detai
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.