Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"A.D.D. Dwivedi"'
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 4, Iss 4, Pp 561-567 (2019)
As organic thin film transistors (OTFTs) are poised to play a key role in flexible and low-cost electronic applications, there is a need of device modeling to support technology optimization and circuit design. This paper demonstrates the technology
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a25e749db574a8c9dad39fb21c9cb13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2021 8th International Conference on Smart Computing and Communications (ICSCC).
This paper presents TCAD modelling of the 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) Pentacene OTFT. The model is based on defect description and charge reproduction and recombination. This model incorporates metal-semiconductor-insulator interface and conta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::403fe6f5754ef9d48eb95fc9980f28a0
https://doi.org/10.1109/icscc51209.2021.9528257
https://doi.org/10.1109/icscc51209.2021.9528257
Publikováno v:
International Journal of Advanced Applied Physics Research. :1-5
In this paper we present TCAD simulation and compact modeling of OTFTs. Finite element method (FEM) based numerical simulations have been performed using density of state model and field dependent mobility model to simulate the electrical behavior of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f09908e215d7da2d10d54859f9c53e72
https://doi.org/10.15379/2408-977x.2019.06.01.01
https://doi.org/10.15379/2408-977x.2019.06.01.01
Publikováno v:
Optical and Quantum Electronics. 53
The tailoring the band gap energy of the ternary Indium Gallium Nitride (InxGa(1−x)N) alloy shows a good spectral match with a range of wavelength in electromagnetic spectrum and provided a new approach for its utilization in Photovoltaic solar cel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6184fa1df87c92f48aac625a2bd21bc
https://doi.org/10.1007/s11082-020-02709-7
https://doi.org/10.1007/s11082-020-02709-7
Publikováno v:
Optical and Quantum Electronics. 52
In this paper, the performance of a $${N}^{+}{\text{-}}CdTe/{n}^{0}{\text{-}}{Hg}_{0.824675}{Cd}_{0.175325}Te/{p}^{+}{\text{-}}{Hg}_{0.824675}{Cd}_{0.175325}Te$$ n–i–p photodetector with a heavily doped CdTe material as a window for terahertz fre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f924b717ac76c386f9d9a38c79de38d
https://doi.org/10.1007/s11082-020-02450-1
https://doi.org/10.1007/s11082-020-02450-1
Publikováno v:
Hybrid Nanomaterials-Flexible Electronics Materials
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9cb4ed69b332621bbfac7dd65fb0e89a
http://www.intechopen.com/articles/show/title/numerical-simulation-and-compact-modeling-of-thin-film-transistors-for-future-flexible-electronics
http://www.intechopen.com/articles/show/title/numerical-simulation-and-compact-modeling-of-thin-film-transistors-for-future-flexible-electronics
