Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"A.A. Naumovets"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 238:51-53
A striped ordered structure in the interface plane was observed by means of TEM in the AuGeGaAs heterosystem. This effect seems to result from a diffusion mechanism of elastic stress relaxation, and not from the ordinary dislocation mechanism.
Autor:
L. S. Khazan, R. V. Konakova, B. A. Nesterenko, Vojtech Nádaždy, Yu. A. Tkhorik, S. A. Grusha, A.A. Naumovets, Š. Lányi, V.V. Milenin
Publikováno v:
Thin Solid Films. 215:50-51
The effect of γ irradiation and electric field on the properties of PtGaAs contacts is studied. It is found that such treatments cause reversible diffusion of platinum at the interface. This accounts for the relaxation of mechanical stresses in t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.