Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"A.A. Naem"'
Publikováno v:
MRS Proceedings. 427
In view of their potential application in ULSI technology, nickel silicide films were formed on undoped and doped Si(100) substrates. Nickel films of varying thicknesses were sputter-deposited onto the substrates and silicidation was performed ex-sit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2758a440c1c18e605899e9caea29d4c8
https://doi.org/10.1557/proc-427-541
https://doi.org/10.1557/proc-427-541
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MRS Proceedings. 76
Ion beam mixing has been used to form layers of titanium disilicide on Si wafers. Doses of Ge+ up to 1×1016 ions/cm2 were implanted at 140 keV through 51 nm of sputtered Ti. The substrate was held at different temperatures; 150°C, 300°C and 400°C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c2759162389a38eab93a427b44fdb12
https://doi.org/10.1557/proc-76-323
https://doi.org/10.1557/proc-76-323
Publikováno v:
MRS Proceedings. 23
Small geometry NMOS transistors were fabricated using junctions implanted with 1016; Asplus;/cm2; @ 180 keV and annealed through 1067 Å of SiO 2; with a cw argon laser. Phosphosilicate glass densification was the only other high temperature step. Ch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7038844c9ea31aed97dbd8ce4cff6f2d
https://doi.org/10.1557/proc-23-229
https://doi.org/10.1557/proc-23-229
Autor:
A.A. Naem, I.D. Calder
Publikováno v:
MRS Proceedings. 146
The capability of rapid thermal processing (RTP) to perform many of the thermal steps required for semiconductor device fabrication has been investigated and demonstrated thoroughly over the past few years and many excellent reviews of these techniqu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::15b08484f1e7a5ed9dd1e914d615ab96
https://doi.org/10.1557/proc-146-203
https://doi.org/10.1557/proc-146-203
Publikováno v:
MRS Proceedings. 13
Selective laser crystallization of undoped polysilicon films has been achieved through the use of a patterned Si3N4 anti-reflection (AR) coating. The recrystallized poly-Si beneath the AR cap exhibits an etch rate 50–90% lower than the surrounding
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::809cbc2cf001d551f6ff5c64a513a174
https://doi.org/10.1557/proc-13-443
https://doi.org/10.1557/proc-13-443
Autor:
A.R. Boothroyd, A.A. Naem
Publikováno v:
Electronics Letters. 18:135
Results of an experimental investigation of the interaction between short-channel and narrow-channel effects in small-geometry (simultaneously short- and narrow-channel) devices are presented. It is demonstrated that, for these devices, this interact
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c7b258af9e4c5b0ddd66e450458f6107
https://doi.org/10.1049/el:19820090
https://doi.org/10.1049/el:19820090
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.