Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"A.A. Lakhani"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 31:506-508
A simple capless annealing technique for post-implantation annealing of a GaAs wafer is described. The technique incorporates a novel boat design and uses InAs as the source of arsenic overpressure. Using this technique, wafers annealed at 850°C sho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::874387e89af85ba3cd69ede4d78cf0a0
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21557
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21557
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Fathimulla, A.A. Lakhani
Publikováno v:
1983 Ultrasonics Symposium.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::478f1828f1938aea1d30c93a05fc5722
https://doi.org/10.1109/ultsym.1983.198237
https://doi.org/10.1109/ultsym.1983.198237
Autor:
A.A. Lakhani, P.J. Stiles
Publikováno v:
Physics Letters A. 51:117-118
Oscillatory magnetocunductance of electrons on (110) and (111) surfaces of Si have been observed. The ground-state degeneracies were determined and possible energy level schemes are proposed.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ac597e4cc69e5d0632957aa38bbec9f
https://doi.org/10.1016/0375-9601(75)90250-9
https://doi.org/10.1016/0375-9601(75)90250-9