Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"A.A. Evtukh"'
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 3, Pp 330-334 (2017)
The influence of porous alumina template morphology on silicon films growth at deposition by PE CVD has been investigated. As it was shown, the structural properties of silicon phases depend on the pore geometry and surface morphology of the anodized
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/acad406328f64365ab1db8605e7f9967
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 2, Pp 179-184 (2017)
The processes of laser-induced transformation of SiOx oxide layers into the nanocomposite ones were studied. The possibility of phase separation in the form of Si nanocrystals surrounded by corresponding SiO2 oxide matrix under irradiation by nanosec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ec3c13729acc48f49a0a21498207cf29
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Electron transport through composite SiO2(Si)&FexOy(Fe) thin films containing Si and Fe nanoclusters
Autor:
A.Yu. Kizjak, A.A. Evtukh, O.L. Bratus, S.V. Antonin, V.A. Ievtukh, O.V. Pylypova, A.K. Fedotov
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 903:163892
Autor:
I. Ostrovskii, Olga Steblova, Stepan Nichkalo, A. Grigoriev, Anatoly Druzhinin, A. Kizjak, A.A. Evtukh
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 854:83-88
The paper deals with investigation of silicon nanowires formation by LP CVD method on Si substrate using gold films as a mask. The average diameter of Si nanowires grown by LP CVD was about 60 nm. It was shown that using of Si-Au droplets as the mask
Autor:
O. Bratus, A.A. Evtukh
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 854:105-110
The electrical properties of nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanoclusters have been investigated. The films were formed by oxide assisted growth that included ion plasma sputtering (IPS) of Si target and following high temperature annealin
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Visnik Nacional'noi' akademii' nauk Ukrai'ni. :40-49
Publikováno v:
Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. 14:247-255
The nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanoclusters inside insulating SiO2 matrix are promising for many nanoelectronics applications. The ion-plasma sputtering of Si in O2 containing gas mixture and following thermal annealing have been used