Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"A.-L. Bavencove"'
Autor:
Matthieu Lafossas, Christophe Durand, F. Levy, B. André, A.-L. Bavencove, Le Si Dang, B. Martin, Damien Salomon, Amélie Dussaigne, Joël Eymery, P. Gilet, Pierre Ferret
Publikováno v:
Electronics Letters. 47:765-767
A report is presented on the fabrication of light emitting diodes (LEDs) based on GaN core/shell wires on conductive substrates by metal organic vapour phase epitaxy. Catalyst-free GaN-based wires are grown spontaneously on 2-inch n-doped silicon sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57b1bb8bced30e6c506db5899d22b64f
https://doi.org/10.1049/el.2011.1242
https://doi.org/10.1049/el.2011.1242
Autor:
Bruno Daudin, J. Garcia, Guy Feuillet, G. Tourbot, Philippe Gilet, A.-L. Bavencove, E. Pougeoise, B. Gayral, Le Si Dang, F. Levy, B. André
Publikováno v:
physica status solidi (a). 207:1425-1427
We studied and improved gallium nitride (GaN) nanowire (NW) based light emitting diodes (LEDs). PIN nanodiodes with and without InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) were grown by molecular beam epitaxy (MBE) under N-rich conditions on n-doped Si(1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b98cc9fc6a2881c217f7242977b82c26
https://doi.org/10.1002/pssa.200983603
https://doi.org/10.1002/pssa.200983603
Autor:
Bruno Daudin, F. Levy, J. Garcia, Philippe Gilet, G. Tourbot, A.-L. Bavencove, B. André, Yohan Desieres, Bruno Gayral, Le Si Dang
Publikováno v:
Nanotechnology. 22(34)
The electroluminescent properties of InGaN/GaN nanowire-based light emitting diodes (LEDs) are studied at different resolution scales. Axial one-dimensional heterostructures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) directly on a s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0b93a6331e300e1b0e4b26357f201606
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/21795769
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/21795769
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.