Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"A. Shevchik-Shekera"'
Autor:
Krysl, Anastasiya, But, Dmytro B., Ikamas, Kęstutis, Holstein, Jakob, Shevchik-Shekera, Anna, Roskos, Hartmut G., Lisauskas, Alvydas
This paper presents a study on performance optimization and resonant frequency modification of terahertz detectors by the use of hyper-hemispherical silicon superstrate lenses. The detectors are patch-TeraFETs, i.e., field-effect transistors with mon
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.07715
Autor:
Shevchik-Shekera, A. V.1 shevchik-shekera@isp.kiev.ua, Sizov, F. F.1 sizov@isp.kiev.ua, Golenkov, O. G.1 golenkov@isp.kiev.ua, Lysiuk, I. O.1 lihor@ukr.net, Petriakov, V. О.2 petriakov@i.ua, Kovbasa, M. Yu.1 nikolay.kovbasa@isp.kiev.ua
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023, Vol. 26 Issue 1, p59-67. 9p.
Autor:
Golenkov, A. G.1 golenkov@isp.kiev.ua, Shevchik-Shekera, A. V.1, Kovbasa, M. Yu.1, Lysiuk, I. O.1, Vuichyk, M. V.1, Korinets, S. V.1, Bunchuk, S. G.1, Dukhnin, S. E.1, Reva, V. P.1, Sizov, F. F.1
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 1, p90-99. 10p.
Autor:
Dvoretsky, S.A., Mikhailov, N.N. ⁎, Remesnik, V.G., Sidorov, Yu.G., Shvets, V.A., Ikusov, D.G., Varavin, V.S., Yakushev, M.V., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Golenkov, A.G., Lysiuk, I.O., Tsybrii, Z.F., Shevchik-Shekera, A.V., Sizov, F.F., Latyshev, A.V., Aseev, A.L.
Publikováno v:
In Opto-Electronics Review September 2019 27(3):282-290
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 21, Iss 1, Pp 83-88 (2018)
We report on the development of lenses for terahertz vision systems from their design up to manufacturing. Fused deposition modeling was used for assisting the 3D printing manufacturing process. HIP (High Impact Polystyrene) used for printing has hig
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29980d034ccd47d5b815e8541fc7c735
Autor:
Shevchik-Shekera, A.1 annashsh82@gmail.comhello@email.com, Zabudsky, V.1 hello2@email.com, Golenkov, A.1 hello2@email.com, Dvoretsky, S.2 hello2@email.com
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2018, Vol. 21 Issue 1, p83-88. 6p.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 2, Pp 173-178 (2017)
This paper reports on the development and investigations of In–Hg1–xCdxTe–In structures with symmetric nonlinear I–V curves that are sensitive to sub-terahertz radiation. It is shown that at low currents photoresponse of the detectors based o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/51f826aa291749d999fe946b0def1f80
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. G. Bunchuk, A. G. Golenkov, M.V. Vuichyk, I. O. Lysiuk, V. P. Reva, F. F. Sizov, A.V. Shevchik-Shekera, S. V. Korinets, M.Yu. Kovbasa, S. E. Dukhnin
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 24:90-99
Room temperature linear arrays (up to 160 detectors in array) from silicon metal- oxide-semiconductor field-effect transistors (Si-MOSFETs) have been designed for sub- THz (radiation frequency 140 GHz) close to real-time direct detection operation sc