Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"A. Schogl"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jan Ropohl, R. Siemieniec, Franz Hirler, N. Soufi-Amlashi, A. Schogl, Uli Hiller, Maximilian Rösch
Publikováno v:
2005 European Conference on Power Electronics and Applications.
A new 100-V power MOSFET of the OPTIMOSreg 2-family is described. The application of compensation principles leads to a device technology that combines low RON with outstanding switching properties. The technology also offers small gate charge QG and
Publikováno v:
Journal of Physics C: Solid State Physics. 20:5233-5239
The electronic structure of glassy and crystalline CuxTe1-x (0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.