Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"A. Scavannec"'
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology; 1988, Vol. 6 Issue 10, p1507-1511, 5p
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology. 6:1507-1511
An integrated p-i-n/JFET/resistor has been developed using a GaInAs epitaxial structure grown on a planar substrate A four-layered structure allows separate optimization of both active devices. Owing to the good performances and high reliability of i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0c7535fd61ba7428fa4a38c1591842f
https://doi.org/10.1109/50.7909
https://doi.org/10.1109/50.7909
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.