Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"A. Pustovyi"'
Autor:
Yaroslav Shchur, Houda El Karout, Bouchta Sahraoui, Anatoliy Andrushchak, Guillermo Beltramo, Denys Pustovyi, Svetlana Vitusevich, Patrick Huber, Andriy V. Kityk
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-14 (2024)
Abstract We demonstrate a hybrid nanocomposite combining mesoporous silica, p $$\hbox {SiO}_2$$ SiO 2 , as a host medium and guest lithium niobate $$\hbox {LiNbO}_3$$ LiNbO 3 nanocrystals embedded into tubular silica nanochannels by calcination of th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/85c34f8fb05349689d24103ac79ea682
Autor:
Yongqiang Zhang, Nazarii Boichuk, Denys Pustovyi, Valeriia Chekubasheva, Hanlin Long, Mykhailo Petrychuk, Svetlana Vitusevich
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 7, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract High‐quality liquid gate‐all‐around (LGAA) silicon nanowire (NW) field‐effect transistor (FET) biosensors are fabricated and studied their properties in 1 mm phosphate‐buffered saline solution with pH = 7.4 using transport and nois
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8faa48244ed34deeb01d2bc8e8d40258
Publikováno v:
Вісник Харківського національного університету внутрішніх справ, Vol 101, Iss 2 (P. 1), Pp 351-361 (2023)
The article presents the results of a scientific study, namely, the analysis of police training in firearms handling in accordance with the guidelines developed in peacetime before the beginning of Russian aggression. The author identifies the aspect
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3c490e4d73484e94a7b65f39d2ac5bd2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yongqiang Zhang, Nazarii Boichuk, Denys Pustovyi, Valeriia Chekubasheva, Hanlin Long, Mykhailo Petrychuk, Svetlana Vitusevich
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 36, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The transport and noise properties of fabricated, high‐performance, gate‐all‐around silicon liquid‐gated nanowire field‐effect transistor devices are investigated in different concentrations of MgCl2 solutions. The critical concent
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9492c1c6cefc4186871fa02f76cca856
Autor:
Nykyforchyn, Hryhoriy, Pustovyi, Vitaliy, Zvirko, Olha, Semenov, Pavlo, Hredil, Myroslava, Nemchuk, Oleksiy, Oliynyk, Oleksandr, Tsyrulnyk, Oleksandr
Publikováno v:
In Procedia Structural Integrity 2022 41:326-332
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.