Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"A. P. Kovchavtsev"'
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 47:478-481
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8271e84017f83008f114f051dec5779d
https://doi.org/10.1134/s1063785021050175
https://doi.org/10.1134/s1063785021050175
Autor:
A. E. Nastov’yak, A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, Dmitriy V. Dmitriev, N. A. Valisheva
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 46:469-472
The C–V characteristics of Au/Al2O3/In0.52Al0.48As and Au/SiO2/In0.52Al0.48As metal–insulator–semiconductor structures have been studied. It has been established that the fragmentary measurement of the C–V characteristics of InAlAs-based meta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df362ea9215b1d428abb8585ee327ba1
https://doi.org/10.1134/s1063785020050259
https://doi.org/10.1134/s1063785020050259
Autor:
A. P. Kovchavtsev, Yu. G. Sidorov, Anton Latyshev, I. V. Sabinina, A. V. Predein, I. V. Marchishin, G. Yu. Sidorov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, D. V. Marin, M. V. Yakushev, V. V. Vasil’ev, Sergey A. Dvoretsky
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 65:316-320
Matrix photosensitive elements based on a HgCdTe semiconductor solid solution on silicon substrates with 640 × 512 elements at a pitch of 25 μm with a long-wavelength sensitivity of 5 μm at half maximum are designed and produced. The scheme and to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32d7c4da38cacfb65f5c94779c800ab5
https://doi.org/10.1134/s1064226920030122
https://doi.org/10.1134/s1064226920030122
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. A. Dvoretskii, G. Yu. Sidorov, V. G. Polovinkin, I. I. Lee, A. P. Kovchavtsev, M. V. Yakushev
Publikováno v:
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54:569-575
Modern designs of time delay and integration (TDI) IR linear scanning focal plane arrays (IR FPAs) are analyzed. Advanced designs of linear IR FPAs with increased sensitivity and spatial resolution are proposed. The analysis is based on Monte-Carlo s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a44377a0acc4ddac5cdda2a2b9372cb
https://doi.org/10.3103/s8756699018060055
https://doi.org/10.3103/s8756699018060055
Autor:
I. B. Chistokhin, A. P. Kovchavtsev, Igor P. Prosvirin, K. S. Zhuravlev, M. S. Aksenov, Dmitriy V. Dmitriev, N. A. Valisheva, Anton K. Gutakovskii
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 74:193-198
The InAlAs surface morphology (AFM), chemical composition (XPS) and the Ti/InAlAs interface structure (HREM), during the Au/Ti/n-In0.52Al0.48As/InP(001) mesa-structure Schottky barrier formation, were studied. The current-voltage (I-V) dependences an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::267848e3993a7c8316bf45f66c9c1cde
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.10.014
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.10.014
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. S. Zhuravlev, A. K. Bakarov, A. A. Lopukhin, A. P. Kovchavtsev, P. V. Vlasov, I. D. Burlakov, Anton K. Gutakovskii, A. I. Toropov, K. O. Boltar
Publikováno v:
Technical Physics. 62:915-919
The MBE method has been applied to grow InSb layers on InSb substrates. These layers have served as a basis for fabricating mid-wave IR photodetector arrays. The characteristics of photodetector arrays on epitaxial InSb layers have been compared with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c632cad7acf50659720831354396887e
https://doi.org/10.1134/s1063784217060044
https://doi.org/10.1134/s1063784217060044