Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"A. Miras-Legros"'
Publikováno v:
Electronics Letters. 34:297
A 40 GHz photoreceiver has been implemented by cascading on a single alumina substrate a fast side-illuminated AlGaInAs/InP pin photodiode, and three narrow-band amplifier chips, based on a 0.2 µm gate length GaAs pHEMT technology. The package was e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54262748e1f24d3b19dac41211e67101
https://doi.org/10.1049/el:19980089
https://doi.org/10.1049/el:19980089
Publikováno v:
Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 02/05/1998, Vol. 34 Issue 3, p297-299, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.