Zobrazeno 1 - 10
of 1 271
pro vyhledávání: '"A. Hikavyy"'
Autor:
Shimura, Yosuke, Godfrin, Clement, Hikavyy, Andriy, Li, Roy, Aguilera, Juan, Katsaros, Georgios, Favia, Paola, Han, Han, Wan, Danny, De Greve, Kristiaan, Loo, Roger
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing May 2024 174
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yamaguchi, S., Witters, L., Mitard, J., Eneman, G., Hellings, G., Hikavyy, A., Loo, R., Horiguchi, N.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2018 83:157-161
Autor:
Erik Rosseel, Clement Porret, Andriy Yakovitch Hikavyy, Roger Loo, Olivier Richard, Gerardo Tadeo Martinez, Dmitry Batuk, Hans Mertens, Eugenio Dentoni Litta, Naoto Horiguchi
Publikováno v:
ECS Transactions. 109:93-98
We report on selectively grown Si:P layers below 500°C targeting application in stacked nanosheet-based devices. In contrast to conventional approaches where selectivity is obtained at low temperatures using Cyclic-Deposition and Etch (CDE) with HCl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65525e80c3db28ce06daa486a21b87f9
https://doi.org/10.1149/10904.0093ecst
https://doi.org/10.1149/10904.0093ecst
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Philipp Hönicke, Yves Kayser, Victor Soltwisch, Andre Wählisch, Nils Wauschkuhn, Jeroen E. Scheerder, Claudia Fleischmann, Janusz Bogdanowicz, Anne-Laure Charley, Anabela Veloso, Roger Loo, Hans Mertens, Andriy Hikavyy, Thomas Siefke, Anna Andrle, Grzegorz Gwalt, Frank Siewert, Richard Ciesielski, Burkhard Beckhoff
Publikováno v:
Metrology, Inspection, and Process Control XXXVII.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed1ba149d0a31c58d15e24225bc689f9
https://doi.org/10.1117/12.2657963
https://doi.org/10.1117/12.2657963
Autor:
C. Porret, J.-L. Everaert, M. Schaekers, L.-A. Ragnarsson, A. Hikavyy, E. Rosseel, G. Rengo, R. Loo, R. Khazaka, M. Givens, X. Piao, S. Mertens, N. Heylen, H. Mertens, C. Toledo De Carvalho Cavalcante, G. Sterckx, S. Brus, A. Nalin Mehta, M. Korytov, D. Batuk, P. Favia, R. Langer, G. Pourtois, J. Swerts, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78086ce8edcc5c3d4eede696a5240455
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
Autor:
H. Mertens, R. Ritzenthaler, Y. Oniki, P. Puttarame Gowda, G. Mannaert, F. Sebaai, A. Hikavyy, E. Rosseel, E. Dupuy, A. Peter, K. Vandersmissen, D. Radisic, B. Briggs, D. Batuk, J. Geypen, G. Martinez-Alanis, F. Seidel, O. Richard, B.T. Chan, J. Mitard, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7559774f6d1287531641ef258b9aefd7
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
Autor:
Geoffrey Pourtois, Julien Ryckaert, Andriy Hikavyy, Alessio Spessot, Geert Eneman, Naoto Horiguchi, Philippe Matagne, Hiroaki Arimura, Roger Loo, An De Keersgieter, Paola Favia, Clement Porret, Anabela Veloso
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:5380-5385
Stress simulations of Si0.5Ge0.5-channel nanowire transistors with typical 5 nm technology-node dimensions are performed to study the effect of layout on the channel stress generated by virtual substrates, by epitaxial mismatch from source/drain epit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::694d7b20ce41464793fc48ea71611d09
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3076754
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3076754