Zobrazeno 1 - 10
of 778
pro vyhledávání: '"A. Golanski"'
Publikováno v:
In International Journal of Pressure Vessels and Piping October 2024 211
Autor:
Shaochen Gao, Duc-Tung Vu, Thibauld Cazimajou, Patrick Pittet, Martine Le Berre, Mohammadreza Dolatpoor Lakeh, Fabien Mandorlo, Régis Orobtchouk, Jean-Baptiste Schell, Jean-Baptiste Kammerer, Andreia Cathelin, Dominique Golanski, Wilfried Uhring, Francis Calmon
Publikováno v:
Photonics, Vol 11, Iss 6, p 526 (2024)
The integration of Single-Photon Avalanche Diodes (SPADs) in CMOS Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) technology under a buried oxide (BOX) layer and a silicon film containing transistors makes it possible to realize a 3D SPAD at the chip le
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac80468040404a60aef0d5871a92f1c9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Boutayeb, A., Theodorou, C., Golanski, D., Batude, P., Brunet, L., Bosch, D., Guyader, F., Joblot, S., Ponthenier, F., Lacord, J.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November 2023 209
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2022 191
Autor:
Golański, Grzegorz, Purzyńska, Hanna
Publikováno v:
In International Journal of Pressure Vessels and Piping February 2022 195
Autor:
Remi Helleboid, Denis Rideau, Jeremy Grebot, Isobel Nicholson, Norbert Moussy, Olivier Saxod, Marie Basset, Antonin Zimmer, Bastien Mamdy, Dominique Golanski, Megan Agnew, Sara Pellegrini, Mathieu Sicre, Christel Buj, Guillaume Marchand, Jerome Saint-Martin, Marco Pala, Philippe Dollfus
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 584-592 (2022)
A new method to reliably simulate the PDE and jitter tail for realistic three-dimensional SPAD devices is presented. The simulation method is based on the use of electric field lines to mimic the carriers’ trajectories, and on one-dimensional model
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b436d7bd8c1a4d1487a548ca5f9ce9cc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.