Zobrazeno 1 - 6 of 6 pro vyhledávání: '"A. Bolonikov"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Structural and Chemical Comparison of Graphite and BN/AlN Caps Used for Annealing Ion Implanted SiC
Autor: Michael A. Derenge, Tsvetanka Zheleva, Tangali S. Sudarshan, A. Bolonikov, S.S. Hullavarad, S. Dhar, R. D. Vispute, Kenneth A. Jones, K.W. Kirchner, Mark C. Wood
Publikováno v: Journal of Electronic Materials. 37:917-924
The effectiveness of AlN/BN and graphite annealing caps for ion implanted SiC was examined morphologically, structurally, chemically, and electrically. The AlN/BN cap more effectively blocks the out-diffusion of silicon because it is essentially iner
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b24e89d2dbe05d88fcebbd7a217c4f6
https://doi.org/10.1007/s11664-008-0405-8
Zobrazit plný text záznamu
3
Comparison of Graphite and BN/AlN Annealing Caps for Ion Implanted SiC
Autor: Michael A. Derenge, Shiva S. Hullavarad, K.W. Kirchner, Tangali S. Sudarshan, Sankar Dhar, Tsvetanka Zheleva, R. D. Vispute, A. Bolonikov, Kenneth A. Jones, Mark C. Wood
Publikováno v: Materials Science Forum. :575-578
4H-SiC samples implanted with 1020 Al were annealed at various temperatures with a BN/AlN or graphite cap, and there morphological, structural, and electrical properties are compared. No blow holes were observed in either cap. Some Si out-diffuses th
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbe45eb4422e13ef451047e9a4e21f59
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.575
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje