Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"A. A. Maldzhy"'
Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
Publikováno v:
Тонкие химические технологии, Vol 1, Iss 6, Pp 73-77 (2006)
The stable, metastable and unstable regions of InGaAs/GaAs heterostructures to the formation of misfit dislocations were determined. The character of the strain distribution in the investigating samples has been estimated and the excess stress change
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f7d643d14741402d85efcf6361a03596
Autor:
A. A. Marmalyuk, L. B. Berliner, O. I. Govorkov, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, A. A. Maldzhy, D. R. Sabitov, A. V. Petrovsky, V P Duraev, A V Sukharev, R. Kh. Akchurin
Publikováno v:
Semiconductors. 43:63-68
Surface segregation during epitaxial growth of stressed InGaAs/GaAs quantum-well heterostructures significantly distorts the nominal concentration profile of quantum wells. The consideration of the effect for growth conditions and elastic stresses ap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2884eaf7945051fc5c1970ed8bb0cb99
https://doi.org/10.1134/s1063782609010138
https://doi.org/10.1134/s1063782609010138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.