Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"A P, Chalyĭ"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bakai, A., Ciach, A., Chalyi, A., Folk, R., Holovatch, Yu., Kozlovskii, M., Schick, M., Schröer, W., Stell, G., Yukhnovskii, I.
Publikováno v:
Condens. Matter Phys., vol. 4 (2001) pp. 165 - 181
The paper contains materials of the discussion concerning phase transitions and critical phenomena which took place during the Workshop on modern problems of soft matter theory (Aug. 27 -- Aug. 31, 2000, Lviv, Ukraine).
Comment: To appear in Con
Comment: To appear in Con
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0012506
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. P. Shkurko, V. P. Chalyĭ, M. V. Stepanov, M. A. Sokolov, I. A. Sokolov, A. N. Alekseev, Yu. V. Pogorel’skiĭ, D. M. Krasovitskiĭ, A. É. Byrnaz, M. V. Pavlenko, S. I. Petrov
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 34:785-788
We have studied the influence of conditions used for the growth of InGaN layers by the molecular beam epitaxy (with ammonia as a source of nitrogen) on the properties of GaN/InGaN heterostructures. It is established tat the temperature dependence of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b29672b1bda79ad883736b43551e529
https://doi.org/10.1134/s1063785008090216
https://doi.org/10.1134/s1063785008090216
Autor:
S. B. Aleksandrov, M. V. Stepanov, Yu. V. Pogorel’skiĭ, M. Yu. Pogorel’skiĭ, L. É. Velikovskiĭ, I. É. Velikovskiĭ, S. I. Petrov, A. P. Shkurko, M. A. Sokolov, A. É. Byrnaz, D. M. Krasovitskiĭ, M. V. Pavlenko, A. V. Veretekha, A. N. Alekseev, V. P. Chalyĭ, A. G. Tkachenko, I. A. Sokolov
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 32:960-963
High-power field-effect transistors (FETs) are among the main applications of heterostructures based on group III metal nitrides, which in most cases implement the classical GaN/AlGaN structure with a single junction. An alternative approach based on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8c7ed44bc2407c764780f3166f78d63
https://doi.org/10.1134/s1063785006110162
https://doi.org/10.1134/s1063785006110162
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.