Zobrazeno 1 - 10
of 13 443
pro vyhledávání: '"A A Gummel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this paper, we explore the convergence of the semi-discrete Scharfetter-Gummel scheme for the aggregation-diffusion equation using a variational approach. Our investigation involves obtaining a novel gradient structure for the finite volume space
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.02226
Autor:
Cheng, Hanz Martin, Boonkkamp, Jan ten thije, Janssen, Jesper, Mihailova, Diana, van Dijk, Jan
In this paper, we propose a numerical scheme for fluid models of magnetised plasmas. One important feature of the numerical scheme is that it should be able to handle the anisotropy induced by the magnetic field. In order to do so, we propose the use
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.11126
Autor:
Schlichting, André, Seis, Christian
In this paper, we propose a finite-volume scheme for aggregation-diffusion equations based on a Scharfetter--Gummel approximation of the quadratic, nonlocal flux term. This scheme is analyzed concerning well-posedness and convergence towards solution
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2004.13981
Autor:
Kantner, Markus, Koprucki, Thomas
Publikováno v:
Finite Volumes for Complex Applications IX, pp. 173-182 (2020)
Electro-thermal transport phenomena in semiconductors are described by the non-isothermal drift-diffusion system. The equations take a remarkably simple form when assuming the Kelvin formula for the thermopower. We present a novel, non-isothermal gen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.10133
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Computational Physics 15 July 2022 461
Autor:
Kantner, Markus
Publikováno v:
J. Comput. Phys. 402, 109091 (2020)
Many challenges faced in today's semiconductor devices are related to self-heating phenomena. The optimization of device designs can be assisted by numerical simulations using the non-isothermal drift-diffusion system, where the magnitude of the ther
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.00377
Analysis of nonlinear large signal intrinsic elements for InGaP/GaAs HBT based on Gummel‐Poon model.
Autor:
Hu, Shanwen1 (AUTHOR) shanwenh@njupt.edu.cn, Xu, Kaikai2 (AUTHOR), Yu, Shu1 (AUTHOR), Wang, Zixuan1 (AUTHOR), Zhou, Bo1 (AUTHOR), Guo, Yufeng1 (AUTHOR)
Publikováno v:
International Journal of Numerical Modelling. May/Jun2020, Vol. 33 Issue 3, p1-13. 13p.