Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"81.07.ta"'
Publikováno v:
Open Physics, Vol 6, Iss 1, Pp 109-115 (2008)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/510b6b5513374a3eb133f01b8e2d6d0e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 9, Iss 3, p 208 (2016)
Site-controlled epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs substrates patterned with periodic nanohole arrays relies on the deterministic nucleation of dots into the holes. In the ideal situation, each hole should be occupied exactly by one single
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/28505ec5048a4e65afa645c42f949105
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 17, Iss 7, p 073017 (2015)
Correlated fermions are of high interest in condensed matter (Fermi liquids, Wigner molecules), cold atomic gases and dense plasmas. Here we propose a novel approach to path integral Monte Carlo (PIMC) simulations of strongly degenerate non-ideal fer
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/76e1026b4fa048f386ce35a38df76cc3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Theresa Höhne, Hans-Jürgen Wünsche, Alexander Mielke, Markus Kantner, Sven Burger, Thomas Koprucki, Uwe Bandelow, Frank Schmidt
Publikováno v:
Semiconductor Nanophotonics ISBN: 9783030356552
Self-consistent modeling and multi-dimensional simulation of semiconductor nanophotonic devices is an important tool in the development of future integrated light sources and quantum devices. Simulations can guide important technological decisions by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5a2a4c82965dec72fa137b169f0d8a82
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 9, Iss 3, p 208 (2016)
Materials
Materials; Volume 9; Issue 3; Pages: 208
Materials (Basel) 9 (2016). doi:10.3390/ma9030208
info:cnr-pdr/source/autori:S. Hussain, A. Pozzato, M. Tormen, V. Zannier, and G. Biasiol/titolo:Site-control of InAs%2FGaAs quantum dots with indium-assisted deoxidation/doi:10.3390%2Fma9030208/rivista:Materials (Basel)/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
Materials
Materials; Volume 9; Issue 3; Pages: 208
Materials (Basel) 9 (2016). doi:10.3390/ma9030208
info:cnr-pdr/source/autori:S. Hussain, A. Pozzato, M. Tormen, V. Zannier, and G. Biasiol/titolo:Site-control of InAs%2FGaAs quantum dots with indium-assisted deoxidation/doi:10.3390%2Fma9030208/rivista:Materials (Basel)/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
Site-controlled epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs substrates patterned with periodic nanohole arrays relies on the deterministic nucleation of dots into the holes. In the ideal situation, each hole should be occupied exactly by one single
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.