Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"72.25.Hg"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 17, Iss 2, p 023019 (2015)
We derive kinetic equations describing injection and transport of spin-polarized carriers in organic semiconductors with hopping conductivity via an impurity level. The model predicts a strongly voltage dependent magnetoresistance, defined as resista
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6193143d257c41e4bc5b69e2c621d713
Autor:
Pedro Pereyra, Dieter Weiss
Publikováno v:
Physical Review B. 90
A different approach to calculate the I−V characteristics of p+(Ga,Mn)As/n+GaAs spin injectors is presented. The vanishing of the spin-extraction transmission coefficients at the spin-split valence-band edges leads us to predict a dip or plateau in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::260e5d21174c67dbb1ae307bfee58f90
https://doi.org/10.1103/physrevb.90.245310
https://doi.org/10.1103/physrevb.90.245310
Autor:
Mariusz Ciorga, Junichi Shiogai, Dieter Weiss, Makoto Kohda, Tsutomu Nojima, Dominique Bougeard, Junsaku Nitta, Martin Utz, Dieter Schuh
We investigate the correlation between spin signals measured in three-terminal (3T) geometry by the Hanle effect and the spin accumulation generated in a semiconductor channel in a lateral (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diode device. We systematically compare
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fb10230ac2464f33dcd1e1cd59417552
https://epub.uni-regensburg.de/29601/
https://epub.uni-regensburg.de/29601/
Autor:
Reyren, N., Bibes, M., Lesne, E., George, J.-M., Deranlot, C., Collin, S., Barthelemy, A., Jaffrès, H.
Publikováno v:
Physical Review Letters
Physical Review Letters, American Physical Society, 2012, 108 (18), pp.186802. ⟨10.1103/PhysRevLett.108.186802⟩
Physical Review Letters, American Physical Society, 2012, 108 (18), pp.186802. ⟨10.1103/PhysRevLett.108.186802⟩
International audience; We report results of electrical spin injection at the high-mobility quasi-two-dimensional electron system (2-DES) that forms at the LaAlO 3 =SrTiO 3 interface. In a nonlocal, three-terminal measurement geometry, we analyze the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::40c90c8d96647f6991bdb3aff806d1d7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01876797/file/Reyren_GateControlledSpinInjectionAtTheLAO-STOinterfaces_PhysRevLett.108.186802.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01876797/file/Reyren_GateControlledSpinInjectionAtTheLAO-STOinterfaces_PhysRevLett.108.186802.pdf
Publikováno v:
Physical Review B. 79
As a possible physical realization of a quantum information processor, a system with stacked self-assembled InAs quantum dots buried in GaAs in adjacent to the channel of a spin field-effect transistor has been proposed. In this system, only one of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9616847d0028845ec833c4c4feb7805a
https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075318
https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075318
Publikováno v:
Physical Review B. 70
An experiment to probe spin-polarized currents in the quantum Hall regime is suggested that takes advantage of the large Zeeman-splitting in the paramagnetic diluted magnetic semiconductor zinc manganese selenide (Zn$_{1-x}$Mn$_x$Se). In the proposed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4ab8bdfaea7b1d0f8054e93d01d98894
https://doi.org/10.1103/physrevb.70.155325
https://doi.org/10.1103/physrevb.70.155325
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.