Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"68.55.Jk"'
Autor:
M.B. Ortuño-López, R. Ochoa-Landín, M.G. Sandoval-Paz, M. Sotelo-Lerma, M. Flores-Acosta, R. Ramírez-Bon
Publikováno v:
Materials Research, Vol 16, Iss 4, Pp 937-943 (2013)
In this work we have studied the properties of CdS films obtained by the chemical bath deposition technique. We studied the influence of pH control of the reaction solution on the structural and optical properties of chemically deposited CdS films. F
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d487db42f004f0eaaa12c262b5ffbb9
Publikováno v:
Open Physics, Vol 6, Iss 3, Pp 643-647 (2008)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/38041fc056ea48ca8219df9fcdd7a958
Publikováno v:
Open Physics, Vol 6, Iss 2, Pp 351-355 (2008)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/be91d6f5be094cc49a77d2a349aed3c5
Autor:
Pohlmann, Tobias
This work investigates the growth dynamic of the reactive molecular beam epitaxy of Fe3O4 films, and its impact on the cation distribution as well as on the magnetic and structural properties at the surface and the interfaces. In order to study the s
Autor:
Boldyš Jiří, Hrach Rudolf
Publikováno v:
Open Physics, Vol 2, Iss 4, Pp 645-659 (2004)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/56abf17a3aa64963a6a2bbee07375a6f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Temmen, Matthias
Nach der Entwicklung des Nicht-Kontakt-Rasterkraftmikroskops (NC-AFM) konnten dessen Leistung, Empfindlichkeit und Anwendungsmöglichkeiten deutlich gesteigert und somit neue grundlegende physikalische Eigenschaften von Festkörperoberflächen mit ho
Publikováno v:
The European physical journal. B, Condensed matter physics
26 (2002): 509–514. doi:10.1140/epjb/e20020120
info:cnr-pdr/source/autori:Verucchi R., Aversa L., Ciullo G., Podesta A., Milani P., Iannotta S./titolo:Sic film growth on Si(111) by supersonic beams of C60/doi:10.1140%2Fepjb%2Fe20020120/rivista:The European physical journal. B, Condensed matter physics (Print)/anno:2002/pagina_da:509/pagina_a:514/intervallo_pagine:509–514/volume:26
26 (2002): 509–514. doi:10.1140/epjb/e20020120
info:cnr-pdr/source/autori:Verucchi R., Aversa L., Ciullo G., Podesta A., Milani P., Iannotta S./titolo:Sic film growth on Si(111) by supersonic beams of C60/doi:10.1140%2Fepjb%2Fe20020120/rivista:The European physical journal. B, Condensed matter physics (Print)/anno:2002/pagina_da:509/pagina_a:514/intervallo_pagine:509–514/volume:26
The development of electronic devices based on Silicon Carbide (SiC) has been strongly limited by the difficulties in growing high quality crystalline bulk materials and films. We have recently elaborated a new technique for the synthesis of SiC on c