Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"68.35.bg"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Open Physics, Vol 7, Iss 2, Pp 291-294 (2009)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/edcfb58bd8cb49fb836d0a4d7e8c1b89
Publikováno v:
Open Physics, Vol 7, Iss 2, Pp 227-231 (2009)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/faf59db31c014e78a2447226c4de85ee
Autor:
Dolbak Andrey, Olshanetsky Boris
Publikováno v:
Open Physics, Vol 6, Iss 3, Pp 634-637 (2008)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9dfd3af518ff43d0ac6ab3e914d14fdc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Petit, Matthieu
Publikováno v:
Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Aix-Marseille Université (AMU), 2017
This dissertation for the « Habilitation à Diriger des Recherches (HDR) » presents some of my research activities since 2006. It is based on the surfaces and interfaces in the materials for microelectronics. This common theme gathers studies on or
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e9435e4bc2fd5c94dca4a7f2eb783dfe
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/tel-01592798v2/document
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/tel-01592798v2/document
Publikováno v:
Materials, Vol 9, Iss 3, p 208 (2016)
Materials
Materials; Volume 9; Issue 3; Pages: 208
Materials (Basel) 9 (2016). doi:10.3390/ma9030208
info:cnr-pdr/source/autori:S. Hussain, A. Pozzato, M. Tormen, V. Zannier, and G. Biasiol/titolo:Site-control of InAs%2FGaAs quantum dots with indium-assisted deoxidation/doi:10.3390%2Fma9030208/rivista:Materials (Basel)/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
Materials
Materials; Volume 9; Issue 3; Pages: 208
Materials (Basel) 9 (2016). doi:10.3390/ma9030208
info:cnr-pdr/source/autori:S. Hussain, A. Pozzato, M. Tormen, V. Zannier, and G. Biasiol/titolo:Site-control of InAs%2FGaAs quantum dots with indium-assisted deoxidation/doi:10.3390%2Fma9030208/rivista:Materials (Basel)/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
Site-controlled epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs substrates patterned with periodic nanohole arrays relies on the deterministic nucleation of dots into the holes. In the ideal situation, each hole should be occupied exactly by one single
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Open Physics, Vol 7, Iss 2, Pp 227-231 (2009)
The local photovoltage of the pn-junction single-crystalline silicon solar cells observed by spot light scanning gradually decreases in the vicinity of edges. The energy conversion efficiency is increased by shadowing the edge regions where the local