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Autor:
Paredes-Saez, Victorien
Dans les technologies avancées, l’épitaxie des matériaux à base de silicium devient de plus en plus critique et les effets morphologiques importants. Les traitements thermiques ainsi que le dopage peuvent altérer la morphologie des épitaxies
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http://www.theses.fr/2017LYSEI032/document
Autor:
Halawani, Nour
Ce travail porte sur l'étude du mélange thermodurcissable - thermoplastique (époxyamine / polyetherimide avec séparation de phase) pour évaluer les performances électriques et thermiques. Ces matériaux seraient des nouveaux candidats pour remp
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http://www.theses.fr/2017LYSEI010/document
Autor:
Martin, Simon
Les matériaux ferroélectriques sont des matériaux qui possèdent une polarisation spontanée en l'absence de champ électrique, leur conférant plusieurs propriétés intéressantes du point de vue des applications possibles. La réduction de l'é
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http://www.theses.fr/2016LYSEI145/document
Autor:
Collin, Louis-Michel
En microélectronique, plusieurs tendances telles que l'empilement 3D et l'amincissement de puces amènent des défis thermiques grandissants. Ces défis sont exacerbés lorsqu'appliqués aux appareils mobiles où l'espace et la puissance disponibles
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http://www.theses.fr/2016LYSEI074/document
Autor:
Wang, Lin
Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils de ZnO avec l'objectif d'en déterminer le dopage pa
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http://www.theses.fr/2016LYSEI031/document
Autor:
Liu, Jia
Les nanostructures périodiques jouent un rôle important dans le domaine des nanotechnologies, en particulier dans le contrôle des photons. Bien qu'il existe de nombreuses techniques d'usage général pour la fabrication et la simulation optique, n
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http://www.theses.fr/2016LYSEI027/document
Autor:
Guillaume, Nicolas
Ce travail de thèse se compose de deux parties : tout d’abord nous avons caractérisé sur le plan morphologique des motifs de TiOx réalisés par anodisation localisée par AFM (LAO) dans des couches pleines plaques de 5 nm de titane. Nous avons
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http://www.theses.fr/2015ISAL0127/document
Autor:
Grandfond, Antonin
Les progrès rapides de la microélectronique sont liées à la miniaturisation du transistor MOS. Pour limiter les courants de fuite, SiO2 a déjà été remplacé par HfO2.mais de nouveaux diélectriques de grande constante diélectrique (high-k) d
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http://www.theses.fr/2014ISAL0133/document
Autor:
Moulis, Sylvain
Aujourd'hui, les outils de lithographie utilisés dans l'industrie arrivent à leur limite de résolution en simple exposition. Pour continuer à diminuer les dimensions, il faut utiliser des techniques de double exposition, mais cela entraîne une e
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http://www.theses.fr/2014ISAL0111/document
Autor:
Seiss, Birgit
Dans les technologies d'aujourd'hui, l’épitaxie est une technique indispensable pour la fabrication des composants. Avec la diminution continue de la taille des transistors les objets epitaxiés rétrécissent aussi. Par conséquence, des effets m
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http://www.theses.fr/2013ISAL0152