Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"621.381 52"'
Autor:
Bucamp, Alexandre
Que ce soit pour la fabrication de transistors ultimes fonctionnant à haute fréquence et faible consommation d’énergie ou pour celle de composants quantiques exploitant le transport balistique d’électrons, l’élaboration de nanostructures d
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LIL1I067/document
Autor:
Bhaskar, Arun
Dans l'industrie des semi-conducteurs, l'approche More-than-Moore constitue un facteur clé pour améliorer les performances du système, l'intégration et la diversification des applications. Dans le domaine des systèmes RF/hyperfréquences, il est
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LIL1I057/document
Autor:
El Farsy, Abderzak
La thèse s’inscrit dans la problématique du dépôt de couches minces en procédés de pulvérisation réactive cathodique magnétron continu basse puissance (R-DC) et pulsé haute puissance (R-HiPIMS). Le mode réactif consiste à ajouter, dans
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LORR0085
Autor:
Dang, Dinh Lam
Le carbure de silicium (SiC) semble être actuellement le candidat le plus viable des semi-conducteurs à large bande interdite pour remplacer le silicium (Si) dans un avenir proche. En raison de ses propriétés intrinsèques, le SiC permet de déve
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LORR0052/document
Autor:
Gao, Xue
La spintronique utilisant des matériaux semi-conducteurs est un sujet de recherche très actif. Elle permet de combiner le potentiel des semi-conducteurs avec le potentiel des matériaux magnétiques. Le GaN pourrait être un bon candidat pour des a
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LORR0059/document
Autor:
Alnjiman, Fahad
Des films de nitrure de zinc et d’étain (ZnSnN2) ont été élaborés par co-pulvérisation magnétron réactive à des températures proches de l’ambiante. La composition chimique des revêtements a été optimisée en ajustant les paramètres
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018LORR0296/document
Autor:
Azrak, Edy Edward
L’alliage germanium-étain est un semiconducteur qui suscite une grande attention en raison de ses propriétés électriques et optiques. L’incorporation de Sn dans le germanium permet d’ajuster la largeur de bande interdite (gap) et d’améli
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018NORMR135/document
Autor:
Zhaksylykova, Indira
Ce travail explore l'utilisation de l'effet magnéto-optique pour étudier la dynamique de spin des électrons de conduction dans les semi-conducteurs non magnétiques lorsqu'ils sont pompés avec des photons polarisés circulairement. En général,
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018SACLX099/document
Autor:
Jouha, Wadia
Ce travail vise à étudier la robustesse de trois générations de MOSFET SiC de puissance (Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field E_ect Transistors). Plusieurs approches sont suivies : la caractérisation électrique, la modélisation phys
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018NORMR083/document
Autor:
Di russo, Enrico
La Sonde Atomique Tomographique (SAT) assistée par laser (La-APT) est un outil puissant pour étudier la distribution atomique 3D des espèces chimiques dans une grande variété de matériaux semi-conducteurs. Cependant, des biais de composition im
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018NORMR065/document