Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"621.381 045 072"'
Autor:
Allioux, David
Cette thèse étudie la conception, la fabrication et la caractérisation de micro-disques de carbure de silicium sur substrat de silicium conçus pour opérer du proche au moyen infrarouge. Nous étudions une approche simple mais efficace permettant
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018LYSEI049/document
Autor:
Mavel, Amaury
La microélectronique rencontre des difficultés croissantes avec la miniaturisation des composants. La photonique sur silicium propose de les contourner en choisissant le photon comme vecteur de l'information, mais les sources de ces photons restent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017LYSEI015/document
Autor:
Hu, Xuan
Ce travail de thèse porte sur la réalisation d’un nouveau modulateur électro-optique pouvant s’intégrer sur un substrat SOI. Le modulateur proposé utilise une structure dite à fente ou SLOT formée verticalement par la couche superficielle
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015ISAL0083/document
Autor:
Anufriev, Roman
Ce travail de thèse porte sur l’étude des propriétés optiques de nanofils InP et d’hétérostructures nanofils InAs/InP épitaxiés sur substrat silicium. Ce travail de thèse a été réalisé principalement dans le cadre du projet ANR «INS
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013ISAL0133/document
Autor:
Zouaoui, Mouna
Ce travail porte sur une étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques InAs/InP, qui est un système très prometteur pour les télécommunications. Ces nanoparticules sont étudiées pour différentes tailles, densité et dopage. Dan
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013ISAL0092/document
Autor:
Gerelli, Emmanuel
Ce travail de thèse s’inscrit dans les efforts actuellement réalisés, pour améliorer l’efficacité des pinces optiques conventionnelles qui permettent de manipuler sans contact des objets de quelques dizaines de nanomètres à quelques dizain
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012ISAL0113/document
Autor:
Pelloux-Gervais, David
L’intégration de semiconducteurs III-V à gap direct sur silicium est un enjeu de taille pour le développement de l’optoélectronique. En effet, si le silicium est aujourd’hui à la base de la microélectronique, la nature indirecte de son ga
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012ISAL0109/document
Autor:
Lepage, Hadrien
Les propriétés physico-chimiques d'un nanocristal semi-conducteur sphérique, intermédiaires entre la molécule et le solide, dépendent de sa taille. Empilés ou dispersés, ces nanocristaux sont les briques architecturales de nouveaux matériaux
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012ISAL0096/document