Výsledky vyhledávání

Фізико-хімічні властивості Mn-SnO2 та Mo-SnO2 синтезованого різними методами

Autor: Донцова, Тетяна Анатоліївна

Об’єкт дослідження – нанокристалічний стануму (IV) оксид отриманий золь-гель методом та методом осадження з газової фази, немодифікован

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::f8e32ede0981492619eb940a49cd3f13
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/48221

Zobrazit plný text záznamu

Ранние экспериментальные результаты лечения тяжелых повреждений периферических нервов с использованием нитевидных кристаллов кремния

Autor: Volodymyr Likhodiievskyi

Publikováno v: Innovative Biosystems and Bioengineering : international scientific journal, 2019, Vol. 3, No. 3

Проблематика. Частота тяжких пошкоджень периферійних нервів і нервових сплетень має тенденцію до зростання. Аутонейропластика продовж

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6bf82b24e589a1d14d211a71df395765
https://doi.org/10.20535/ibb.2019.3.3.176925

Zobrazit plný text záznamu

'Приладобудування: стан і перспективи', XХ Міжнародна науково-технічна конференція

Publikováno v: XХ Міжнародна науково-технічна конференція “Приладобудування: стан і перспективи”, 18 – 19 травня 2021 р., Київ, Україна : збірник матеріалів конференції

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::5e1534501406d59cc83b52a3de35a150
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42619

Zobrazit plný text záznamu

Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)

Autor: Dombrougov, Mikhail Removych

Publikováno v: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 1 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 1 (2019); 6-14
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6-14
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6-14

The inversion of the aluminum profile gradient in the epitaxial Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb) heterostructures grown by the forced cooling from a liquid phase were investigated.Simulation of the liquid phase epitaxy is carried out in the Pfann approximatio

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::27c4815c2de9d1f11679c0b754dfe940
http://elc.kpi.ua/article/view/160164

Zobrazit plný text záznamu

Принцип близькодії в теорії розсіяння електронів в нітриді індію

Autor: Malyk, O. P., Kenyo, G. V.

Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними ф�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1859::0aa7f1b77f53a13184555f46c450a5e6
https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47229

Zobrazit plný text záznamu

Magnetoresistance and magnetization of silicon microstructures at low temperatures

Autor: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Kucherepa, N.

Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу м

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f54e451a665d9d0d06de61e244ec0cf2
https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/56561

Zobrazit plný text záznamu

Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур

Autor: Antolii Oleksandrovych Druzhynin, Yurii Mykolaiovych Khoverko, Nazar Ihorovych Kucherepa, Ihor Petrovych Ostrovskyi

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d9336362303698a6842682f8a947694b
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2018.23.3.130790

Zobrazit plný text záznamu

Моделювання явища інверсії градієнта профілю алюмінію при рідиннофазній епитаксії гетероструктур GaAl(P,As,Sb)

Publikováno v: Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2019, Т. 24, № 1(108)

В роботі досліджені причини та закономірності явища інверсії градієнта профілю алюмінію в епітаксіальних гетероструктурах Ga-Al-Nm, що ви�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::d8afa3a6bedde95e642a8bfa4a41bd5d
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.1.160164

Zobrazit plný text záznamu

Особливості дефектоутворення в монокристалах n-Si при електронному опроміненні

Autor: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

Based on measurements of infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, and the tensor Hall-effect, we have established the nature, and determined the concentration, of the main types of radiation defects in the single crystals n-Si , irradiated by diff

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0a8f2aca7e8095c2875fc8ee04cb5958
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959

Zobrazit plný text záznamu

Формирование низкопористых слоев фосфида индия с заданным уровнем качества

Autor: Vambol, Sergij, Bogdanov, Igor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 12 (93) (2018): Materials Science; 48-55
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 12 (93) (2018): Материаловедение; 48-55
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 12 (93) (2018): Матеріалознавство; 48-55

The morphological quality criterion was developed to have a possibility of formation of nanostructured layers on semiconductor surface with adjustable properties. The layers of low-porous indium phosphide with mesoporous structure were obtained. The

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bf1a7beb4dcce5e7b9e4bcad4ba98ff5
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133193

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání