Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"4H-SiC homoepitaxial layer"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 5, p 600 (2024)
In this study, a 4H-SiC homoepitaxial layer was grown on a 150 mm 4° off-axis substrate using a horizontal hot wall chemical vapor deposition reactor. Comparing C3H8 and C2H4 as C sources, the sample grown with C2H4 exhibited a slower growth rate an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7aa12f32baaf4b8183a4df427364d909
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 6, p 935 (2023)
In this study, a 4H-SiC homoepitaxial layer was grown on a 150 mm 4° off-axis substrate using a horizontal hot-wall CVD reactor. The research aimed to investigate the impact of varying the C/Si ratio and temperature while also changing the N2 flow r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d1b14cb7ea742bf8d214f340966afeb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhuorui Tang, Lin Gu, Hongping Ma, Chaobin Mao, Sanzhong Wu, Nan Zhang, Jiyu Huang, Jiajie Fan
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 1, p 62 (2022)
The homoepitaxial growth of 4H-SiC films was conducted on 4H-SiC 150 mm 4° off-axis substrates by using a home-made hot-wall chemical vapor deposition (CVD) reactor. Special attention was paid to the influence of the growth temperature on the surfac
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e2508b90af5e4229b4cb9acd0d6bc3f5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals; Volume 13; Issue 6; Pages: 935
In this study, a 4H-SiC homoepitaxial layer was grown on a 150 mm 4° off-axis substrate using a horizontal hot-wall CVD reactor. The research aimed to investigate the impact of varying the C/Si ratio and temperature while also changing the N2 flow r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::c96c65496e8f2ad30c7e2f53ba131b3d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.